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【技術(shù)文章】非晶態(tài)薄膜材料的薄膜生長也可以采取柱狀的生長方式 2014-05-29

非晶態(tài)薄膜材料的薄膜生長也可以采取柱狀的生長方式。如Si、SiO2等材料在較低的溫度下，都可以形成非晶的柱狀結(jié)構(gòu)。對Ge、Si等薄膜材料進行深入研究時，發(fā)現(xiàn)這類材料的柱狀形貌的發(fā)育可以被劃分為納米級的、顯微的，以及宏觀的三種柱狀組織。非晶態(tài)Ge薄膜中30%A...

【技術(shù)文章】材料形成非晶態(tài)的能力主要取決于其化學成分 2014-05-21

除了制備條件之外，材料形成非晶態(tài)的能力主要取決于其化學成分。一般來說金屬元素不容易形成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。這是因為金屬原子間的鍵合不存在方向性，因而要抑制金屬原子間形成有序排列，需要的過冷度較大。合金或化合物形成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的傾向明顯高于單一組元，因為化合物的結(jié)構(gòu)一般...

【技術(shù)文章】非晶薄膜的生長特性 2014-05-16

非晶態(tài)是一種近程有序結(jié)構(gòu)。就是在2個一3個原子距離內(nèi)原子排列是有秩序的，大于這個距離其排列是雜亂無規(guī)則的。例如，非晶硅的每個原子仍為四價共價鍵，并且與最近鄰原子構(gòu)成四面體，仍是有規(guī)律的。非晶態(tài)的另一個特點是，其自由能比同種材料晶態(tài)的自由能高，即處于一種亞穩(wěn)態(tài)...

【技術(shù)文章】外延薄膜的生長 2014-05-14

外延生長的基本參數(shù)之一是基片溫度，對于基片與薄膜材料之間，都有一個臨界外延溫度，高于此溫度的外延生長是良好的，而低于此溫度的外延生長則是不完善的。此外，生長速率R與基片溫度T有關(guān)。 如吸附原子在與另一個原子碰撞結(jié)合之前能進人穩(wěn)定的平衡位置，...

【技術(shù)文章】濺射薄膜成膜過程 2014-05-12

從蒸發(fā)源或濺射靶中出來的沉積粒子到達基片表面之后，經(jīng)過吸附、凝結(jié)、表面擴散、遷移、碰撞結(jié)合形成穩(wěn)定晶核。然后再通過吸附使晶核長大成小島，島長大后互相聯(lián)結(jié)聚集，*形成連續(xù)薄膜。在這樣的成膜過程中，蒸發(fā)法和濺射法的主要區(qū)別是: 對于真空蒸發(fā)法，其入...

【技術(shù)文章】濺射薄膜的生長 2014-05-09

用濺射法制備薄膜時，到達基片的濺射粒子的能量比蒸發(fā)法的要大得多，因此會給薄膜的形成帶來一系列的影響，除了使膜與基片的附著力增加外，還會由于高能離子轟擊薄膜表面使其溫度上升而改變薄膜的結(jié)構(gòu)，或使薄膜內(nèi)部應力增加等。濺射粒子的能量與濺射電壓、基片與靶的距離、真空...

【技術(shù)文章】薄膜開關(guān)達到哪些標準 2014-05-08

使用壽命長達200萬。 安全開關(guān)防塵防水，抗震性強，使用壽命長，適用于標準機械工程及衛(wèi)生要求嚴格的領(lǐng)域。 所有產(chǎn)品系列的安全開關(guān)均滿足歐洲和美國安全標準。 外形尺寸及接線方式多樣化

【技術(shù)文章】連續(xù)膜階段 2014-05-06

在溝渠和孔洞消除之后，再入射到基片表面上的氣相原子便直接吸附在薄膜上、通過合并作用而形成不同結(jié)構(gòu)的薄膜。有些薄膜在島的合并階段，小島的取向就發(fā)生顯著變化。對于外延薄膜的形成，其小島的取向相當重要。在形成多晶薄膜時，除了在外延膜中小島合并時必須有相互一定的取向...

【技術(shù)文章】薄膜的網(wǎng)絡階段 2014-05-04

在小島合并為新島的生長過程中，它的形狀變?yōu)閳A形的傾向減小，只是在新島進一步合并的地方才繼續(xù)發(fā)生較大的變形，當島的分布達到臨界狀態(tài)時互相聚結(jié)形成一種網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中不規(guī)則的分布著寬度為50A-200A的溝渠，隨著沉積的繼續(xù)進行，在溝渠中會發(fā)生二次或三次成...

【技術(shù)文章】薄膜開關(guān)優(yōu)點 2014-04-23

薄膜開關(guān)又稱輕觸式鍵盤，采用平面多層組合而成的整體密封結(jié)構(gòu)，是將按鍵開關(guān)、面板、標記、符號顯示及襯板密封在一起的集光、機、電一體化的一種新型電子元器件，是電子產(chǎn)品外觀結(jié)構(gòu)根本性的變革，它可取代常規(guī)分立元件的按鍵，更可靠地執(zhí)行操作系統(tǒng)的任務。 ...